ترانزیستور - ترانزیستور اثر میدانی و ترانزیستور پیوند دوقطبی

این دوره همچنین می تواند برای اعتبار آکادمیک به عنوان ECEA 5632، بخشی از مدرک کارشناسی ارشد CU Boulder در مهندسی برق، اخذ شود. این دوره بحث و تجزیه و تحلیل عمیق ترانزیستورهای اثر میدان فلز-اکسید-نیمه هادی (MOSFET) و ترانزیستورهای پیوند دوقطبی (BJT) از جمله ویژگی های تعادل، حالت های عملکرد، سوئیچینگ و رفتارهای تقویت کننده جریان را ارائه می دهد. در پایان این دوره فراگیران قادر خواهند بود: 1. درک و تجزیه و تحلیل دستگاه فلز-اکسید-نیمه هادی (MOS). 2. درک و تجزیه و تحلیل ترانزیستور اثر میدان MOS (MOSFET) 3. درک و تجزیه و تحلیل ترانزیستور اتصال دوقطبی (BJT)